Ohmic contacts for microwave diodes RV Konakova, VV Milenin, DI Voitsikhovskiy, EA Soloviev, MB Tagaev, ... 2000 22nd International Conference on Microelectronics. Proceedings (Cat. No …, 2000 | 19 | 2000 |
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes NS Boltovets, NM Goncharuk, VA Krivutsa, VE Chaika, RV Konakova, ... Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000 | 7 | 2000 |
Кремниевые диффузионные диоды с вольт-амперными характеристиками, близкими к идеальным НС Болтовец, КА Исмайлов, РВ Конакова, МБ Тагаев Журнал технической физики 68 (10), 131-132, 1998 | 4 | 1998 |
Modeling microplasmas pn junction MB Tagaev, AA Abdreymov EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR) 8 (6), 139-145, 2022 | 3 | 2022 |
Структурные свойства омических контактов на основе палладия к n+-nn+-n++-InP. МУ Насыров, МБ Тагаев ДАН РУз, 30-33, 2016 | 3 | 2016 |
Effect of ultrasonic treatment of silicon IMPATT diodes, power Schottky diodes and Zener diodes on their electrical characteristics MB Tagaev Укр. фіз. журн. 45 (3), 364-367, 2000 | 3 | 2000 |
Effect of ionizing radiation on the silicon IMPATT diode characteristics MB Tagaev Turkish Journal of Physics 23 (6), 985-988, 1999 | 3 | 1999 |
Атермическая ультразвуковая обработка кремниевых СВЧ диодов МБ Тагаев ДАН Республики Узбекистан, 52, 1998 | 3 | 1998 |
Роль микрорельефа в изменении характеристик оксидсодержащих барьеров Шоттки Сr-GaAs под влиянием внешних воздействий КА Исмаилов, МБ Тагаев, ВА Статов, СЕ Бекбергенов Материалы конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках, 35-36, 2004 | 2 | 2004 |
Влияние лазерной обработки на электрические характеристики барьерных контактов к GaAs. Материалы IX Международной конференции «Физика полупроводников тонких пленок» КА Исмаилов, МБ Тагаев, АБ Камалов, СЕ Бекбергенов Ивано-Франковск, Украина, 19-24, 2003 | 2 | 2003 |
II Узбекский Физ МБ Тагаев Журн, 1996 | 2 | 1996 |
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения КА Исмайлов, ВА Статов, МБ Тагаев, АБ Камалов Вопросы атомной науки и техники, 2001 | 1 | 2001 |
Effect of short-time thermal annealings on characteristics of Ohm contacts on silicon microwaves diodes DI VOITSEKHOVSKII, RV Konakova, VV Milenin, EV SOLOV, MB Tagaev, ... Fizika i himiâ obrabotki materialov, 80-84, 1999 | 1 | 1999 |
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КВАНТОВЫХ ЯМ CdZnSe/ZnSe МБ Шарибаев, МБ Тагаев Fergana state university conference, 06-06, 2023 | | 2023 |
DIFFERENTIAL RESISTANCE TO ALTERNATING CURRENT DURING BREAKDOWN OF CURRENT IN DEEP LEVELS IN A SILICON PN JUNCTION MB Tagaev, AA Abdreymov EPRA International Journal of Research and Development (IJRD) 8 (6), 170-176, 2023 | | 2023 |
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF DIODES WITH AN ARBITRARY BASE DOPING PROFILE MB Tagaev, AA Abdreymov, SD Saparbaeva, AS Duysenbaeva EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR) 8 (12), 32-36, 2022 | | 2022 |
ОСОБЕННОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С МИКРОРЕЛЬЕФНОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА И ВЛИЯНИЕ НА НИХ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ М Тагаев, В Статов, С Бекбергенов ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА 2 (47 …, 2020 | | 2020 |
INFLUENCE OF THE GAMMA IRRADIATION ONTO IV CURVE OF THE SURFACE BARRIER METALL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH MICRO-TEXTURED INTERFACE M Tagaev, V Statov, S Bekbergenov Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 2 (3), 13, 2020 | | 2020 |
ВЛИЯНИЕ ГАММА РАДИАЦИИ НА ВОЛЬТАМПЕРНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С МИКРОРЕЛЬЕФНОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА БА Абдикамалов, МБ Тагаев, ВА Статов, СЕ Бекбергенов Экономика и социум, 314-317, 2020 | | 2020 |
STUDY OF THE SCHOTTKY POWER DIODES DEGRADATION UNDER 60Co-IRRADIAION M Tagaev, B Abdikamalov, V Statov, S Bekbergenov Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 1 (3), 10, 2019 | | 2019 |